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削峰细算b.短沟道器件的输出特性。通过对比基于单层MoS2的大规模范德华接触FET和传统蒸镀接触FET,填谷作者证明了范德华接触可以避免传统工艺所带来的损伤,填谷并且基于此制备出的FET具有更好的性能和可重复性。
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削峰细算b,c牺牲基板上2英寸晶圆级电极照片。填谷a.具有6nm的HfO2电介质的短沟道器件的光学显微图像。
基站精打b-d.NOR,NAND,AND逻辑门的输出特性。
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